Sistema de crecimiento epitaxial
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Se cuenta con un sistema de crecimiento epitaxial Riber 32P para la elaboración de películas delgadas, heteroestructuras y nanoestructuras de semiconductores II-VI. Cuenta con 8 celdas de efusión, RHEED (50 keV) y una presión base de 3 x10-11 Torr.Este sistema también cuenta con una cámara de análisis de superficies por espectroscopías Auger y XPS.
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Sistema de fotoluminiscencia en función de la temperatura
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El sistema de fotoluminiscencia está equipado con un gran número de accesorios que permiten su configuración de acuerdo a las características de las muestras a ser estudiadas.
Se pueden realizar mediciones en el rango de 12 a 300 K.
Se cuenta con láseres para excitación del rojo al ultravioleta.
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Otros equipamientos
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Algunas otras técnicas adicionales de caracterización se indican a continuación:
- Caracterización óptica
- Espectroscopías de transmisión y reflectividad
- Espectroscopía Raman
- Fotorrespuesta espectral y fotoconductividad
- Espectroscopías moduladas: fotorreflectancia, termoreflectancia
- Análisis de superficies en ultra-alto-vacío
- Espectroscopías Auger
- Espectroscopía de fotoemisión de rayos X (ESCA, XPS),
- Microscopía de electrones secundarios.
- Mediciones eléctricas
- Conductividad, resistividad
- Efecto Hall
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