El Laboratorio de Nanoestructuras Semiconductoras (NanoSem) del Departamento de Física del Cinvestav cuenta con un grupo de profesores, estudiantes y auxiliares de investigación dedicados al crecimiento e investigación de superficies, péliculas delgadas y heteroestructuras semiconductoras de baja dimensionalidad para aplicación en dispositivos optoeléctronicos, particularmente diódos luminiscentes, láseres semiconductores, fotodetectores, celdas solares, etc.

La infraestructura del grupo comprende diversos arreglos experimentales para la caracterización óptica, electrónica, química, estructural y eléctrica de semiconductores II-VI y sus nanoestructuras semiconductoras. Estas son producidas en el laboratorio de epitaxia por medio de técnicas como epitaxia de haces moleculares (MBE, molecular beam epitaxy), epitaxia de capas atómicas (ALE, atomic layer epitaxy), epitaxia de haces pulsados de submonocapas (SPBE, submonolayer pulsed beam epitaxy).

Algunas de las técnicas de caracterización se indican a continuación:

• Caracterización óptica:
  • Espectroscopías de transmisión y reflectividad
  • Espectroscopía de fotoluminiscencia en función de la temperatura
  • Espectroscopía Raman
  • Fotorrespuesta espectral y fotoconductividad
  • Espectroscopías moduladas: fotorreflectancia, termoreflectancia

• Análisis de superficies en ultra-alto-vacío:
  • Espectroscopías Auger
  • Espectroscopía  de fotoemisión de rayos X (ESCA, XPS),
  • Microscopía de electrones secundarios.

• Mediciones eléctricas
  • Conductividad, resistividad
  • Efecto Hall

Para mayor información comunicarse con el Dr. Isaac Hernández Calderón (isaac.hernandez at cinvestav.mx)